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BOUCARD Frédéric

10, avenue Esclangon 38100 GIERES
Tel: 04 76 24 04 99
@ : frederic.boucard@orange.fr
36 ans - Célibataire

INGENIEUR FRONT-END INTEGRATION
Specialisation Microelectronique

    • 3 ans d’experience en FAB 300mn en tant qu’ingénieur intégration
    • 6 ans d’expertise en traitement thermique et ingénierie des défauts
    • Développement d’un modèle de diffusion des dopants dans le Si


Domaine de compétences

Expertise :
Ingénierie du dopage:





Simulation TCAD :

Langues


Divers

Informatique



Certificat


Implantation ionique.
Recuits thermiques (RTA, Furnace annealing).
Diffusion des dopants dans les semi-conducteurs.
Défauts ponctuels et étendus dans les semi-conducteurs.
Techniques de caractérisations (SIMS, Mesures Rcarré, TEM, RBS).

Maîtrise des outils de simulation Athena, Atlas (Silvaco), Promis (TU-Vienna).

Anglais courant (TOEIC 805 / 1000)
Allemand Notions

Méthodologie de calibration (Plan d’expériences, Statistiques)

Langages de programmation : Fortran, C, C++
Outils de développement : CVS, SunWorkshop
Bonne maîtrise des réseaux

" Personne compétente en matière de radioprotection " délivré par l’Institut de Recherche Subatomiques de Strasbourg.


Expériences Professionnelles

Depuis 2006 Ingénieur Front-end Intégration
STMicrolectronics, Fab 300mn Crolles 2.

  • Prise en charge des module FEOL Isolation, Oxide de grille et Contact pour la technologie 90nm (Plan de Qualification, Suivi de lots, Analyses PT/Rendement)..

  • Suivi quotidien de process en ligne, amélioration d’indicateur Cp / Cpk

  • Reporting hebdomadaire des résultats, prévisions, points bloquants

2003-2005 Ingénieur R&D process TCAD
SILVACO FRANCE, Grenoble.

  • Développement complet du modèle PLS de diffusion des dopants dans l’outil commercial de simulation de procédés de fabrication Silvaco Athena.

  • Collaboration étroite avec une équipe de 4 développeurs aux Etats-Unis.

  • Mise en place et gestion de solutions innovantes pour les outils de simulation

    • Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium
    • Etude de l’effet d’un prérecuit et de la rampe de température montante.
    • Influence du fluor et du carbone sur la diffusion des dopants
    • Effet d’une préamorphisation et recristallisation en phase solide
    • Simulation et modélisation d’ingénierie des défauts
    • Modélisation analytique de l’implantation
1999-2003 Ingénieur de recherche, Thèse CIFRE
SILVACO FRANCE, Grenoble.

  • Recherches axées sur la modélisation de la diffusion et de l’activation des dopants dans le silicium au cours d’un traitement thermique.

  • Etudes expérimentales de l’effet d’une rampe de température et d’un prérecuit sur un traitement thermique rapide (Furnace annealing et RTP en salle blanche).

1997-1998 Administrateur réseau
Service militaire - Lycée Technique F. Renaudeau, Cholet (Maine et Loire).

  • Responsable de l'Espace Multimédia et mise en place d'un réseau intranet complet sur 25 postes.

Etudes & formations

1999-2003 Thèse de Doctorat en Microélectronique
Leti, Cnrs-Phase, Silvaco, Grenoble - Strasbourg .

"Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour les dispositifs avancés en microélectronique."

1998-1999 DEA Physique Subatomique, Modélisation et Instrumentation
Université de Strasbourg .

1997-1998 Licence informatique
Université d'Angers .

1998-1999 Licence et maitrise de physique et applications
Université d'Angers .


Principales publications

F. Boucard, F. Roger, I. Chakarov, V. Zhuk, M. Temkin, X. Montagner, E. Guichard, D.Mathiot: "A comprehensive solution for simulating ultra-shallow junctions: from high dose/low energy implant to diffusion annealing." Présentation Orale au E-MRS (Juin 2005).

F. Boucard, D.Mathiot, P. Rivallin, E.Guichard : "A model for boron ted in silicon : full couplings of dopant with free and clustered interstitials" MRS spring meeting, Vol 717, C5.2 (2002).

D. Mathiot, F. Boucard: "Transient diffusion modeling in Si : accounting for the evolution of interstitial-related nano-clusters" Workshop on "semiconductor defect engineering : progress and prospects", communication, (2002).

F.Boucard, M.Schott, D.Mathiot, P. Holliger, P.Rivallin, E.Guichard : "Influence of low thermal budget pre-anneals on the high temperature redistribution of low energy boron implants" MRS spring meeting, Vol 669, J.8.3 (2001)..


Divers

Création et animation de l’association " Etudiants en Physique Appliqué de l’Université d’Angers " (EPAUA).

Organisation des IVièmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique 2001 (JNRDM) à Strasbourg parrainées par le CNFM et plusieurs industriels du secteur

Football, photographie artistique, randonnées, ski, voyages, nouvelles technologies

 
 
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