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INGENIEUR FRONT-END INTEGRATION
Specialisation Microelectronique
- 3 ans d’experience en FAB 300mn en tant qu’ingénieur intégration
- 6 ans d’expertise en traitement thermique et ingénierie des défauts
- Développement d’un modèle de diffusion des dopants dans le Si
Domaine de compétences 
Expertise :
Ingénierie du dopage:
Simulation TCAD :
Langues
Divers
Informatique
Certificat
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Implantation ionique.
Recuits thermiques (RTA, Furnace annealing).
Diffusion des dopants dans les semi-conducteurs.
Défauts ponctuels et étendus dans les semi-conducteurs.
Techniques de caractérisations (SIMS, Mesures Rcarré, TEM, RBS).
Maîtrise des outils de simulation Athena, Atlas (Silvaco), Promis (TU-Vienna).
Anglais courant (TOEIC 805 / 1000)
Allemand Notions
Méthodologie de calibration (Plan d’expériences, Statistiques)
Langages de programmation : Fortran, C, C++
Outils de développement : CVS, SunWorkshop
Bonne maîtrise des réseaux
" Personne compétente en matière de radioprotection " délivré par l’Institut de Recherche Subatomiques de Strasbourg.
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Expériences Professionnelles
Depuis 2006 Ingénieur Front-end Intégration
STMicrolectronics, Fab 300mn Crolles 2.
- Prise en charge des module FEOL Isolation, Oxide de grille et Contact pour la technologie 90nm (Plan de Qualification, Suivi de lots, Analyses PT/Rendement)..
- Suivi quotidien de process en ligne, amélioration d’indicateur Cp / Cpk
- Reporting hebdomadaire des résultats, prévisions, points bloquants
2003-2005 Ingénieur R&D process TCAD
SILVACO FRANCE, Grenoble.
- Développement complet du modèle PLS de diffusion des dopants dans l’outil commercial de simulation de procédés de fabrication Silvaco Athena.
- Collaboration étroite avec une équipe de 4 développeurs aux Etats-Unis.
- Mise en place et gestion de solutions innovantes pour les outils de simulation
- Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium
- Etude de l’effet d’un prérecuit et de la rampe de température montante.
- Influence du fluor et du carbone sur la diffusion des dopants
- Effet d’une préamorphisation et recristallisation en phase solide
- Simulation et modélisation d’ingénierie des défauts
- Modélisation analytique de l’implantation
1999-2003 Ingénieur de recherche, Thèse CIFRE
SILVACO FRANCE, Grenoble.
- Recherches axées sur la modélisation de la diffusion et de l’activation des dopants dans le silicium au cours d’un traitement thermique.
- Etudes expérimentales de l’effet d’une rampe de température et d’un prérecuit sur un traitement thermique rapide (Furnace annealing et RTP en salle blanche).
1997-1998 Administrateur réseau
Service militaire - Lycée Technique F. Renaudeau, Cholet (Maine et Loire).
- Responsable de l'Espace Multimédia et mise en place d'un réseau intranet complet sur 25 postes.
Etudes & formations
1999-2003 Thèse de Doctorat en Microélectronique
Leti, Cnrs-Phase, Silvaco, Grenoble - Strasbourg
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"Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour les dispositifs avancés en microélectronique."
1998-1999 DEA Physique Subatomique, Modélisation et Instrumentation
Université de Strasbourg
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1997-1998 Licence informatique
Université d'Angers
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1998-1999 Licence et maitrise de physique et applications
Université d'Angers
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Principales publications
F. Boucard, F. Roger, I. Chakarov, V. Zhuk, M. Temkin, X. Montagner, E. Guichard, D.Mathiot:
"A comprehensive solution for simulating ultra-shallow junctions: from high dose/low energy implant to diffusion annealing."
Présentation Orale au E-MRS (Juin 2005).
F. Boucard, D.Mathiot, P. Rivallin, E.Guichard :
"A model for boron ted in silicon : full couplings of dopant with free and clustered interstitials"
MRS spring meeting, Vol 717, C5.2 (2002).
D. Mathiot, F. Boucard:
"Transient diffusion modeling in Si : accounting for the evolution of interstitial-related nano-clusters"
Workshop on "semiconductor defect engineering : progress and prospects", communication, (2002).
F.Boucard, M.Schott, D.Mathiot, P. Holliger, P.Rivallin, E.Guichard :
"Influence of low thermal budget pre-anneals on the high temperature redistribution of low energy boron implants"
MRS spring meeting, Vol 669, J.8.3 (2001)..
Divers
Création et animation de l’association " Etudiants en Physique Appliqué de l’Université d’Angers " (EPAUA).
Organisation des IVièmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique 2001 (JNRDM) à Strasbourg parrainées par le CNFM et plusieurs industriels du secteur
Football, photographie artistique, randonnées, ski, voyages, nouvelles technologies
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